 |
|
ATOMKILDER OAR’s RF-atomkilder bruges i stor udstræk-ning til tynd-filmsbehandling såvel inden for forskning som i fuld-automatisk produktion.
Den reaktive stråles termiske egenskaber sikrer hurtig overførelse af atomare stoffer til et substrat uden de skadelige påvirkninger, der ellers opstår ved højenergi-processer. |
|
 |
Dette gør atomkilderne ideelle til dyrkning af nitrider og oxider samt til lavrisiko-rengøring med atombrint Atomkilderne er specielt velegnede til GaInNAs, GaN, ZnO, ultratynd Al203-film og høj-dielektriske oxider. |
FORDAMPERE "E-beams" er OAR’s minifordampere til deponering af ultra-rene filmmaterialer. Da deponeringshastigheden kan styres meget nøjagtigt, kan fordamperne bruges til overflade-videnskabelige opgaver eller til tyndfilm. |
 |
|
For mange materialers vedkommende opnås fuld kontrol fra <0,01 nm/min. til >30 nm/min. Der er mulighed for samtidig fordampning af op til fire materialer med uafhængig regulering af deponeringshastigheden fra en enkelt strøm-forsyningskilde.
Alle fordampere er baseret på samme design, der fokuserer på UHV-deponeringens vigtigste egenskaber, dvs. ringe kontamination og parti-keldannelse samt stor driftssikkerhed.
|
Da fordamperne ikke har bevægelige dele, kan holderen til fordampningsmaterialet vandkøles direkte, hvilket resulterer i yderst effektiv varmeoverførsel. Som eksempel kan nævnes fordampning af tungsten ved >3000°C, hvor temperaturen på strukturkomponenter og tilstødende lommer ikke overstiger 35°C i OAR’s firlomme-udstyr. Således hindres temperaturstigning og deraf følgende kontamination, som ellers er et naturligt resultat af ineffektivt kølede, konkurrerende fordampere. Desuden undgås risiko for partikeldannelse, bælgfejl eller sammenbrænding af bevægelige dele indvendigt i apparaturet.
|
IONKILDER OAR’s program omfatter 4 typer ionkilder, som bruges i de situationer, hvor der kræves ionstråleætsning, "sputter"-deponering eller hjælpedeponering med minimal kontamination. Den induktivt koblede udladning kræver ikke varmkatode og sker, med undtagelse af ekstraktionsgitrene, udelukkende inden for en ultraren, keramisk udladningszone. Konfigurationen er velegnet til drift med inerte gasser, såsom ilt, brint eller kvælstof uden den tiltagende for-ringelse af udladningszonen, der opleves i filamentdrevne ionkilder.
|
Type LIon50 er en lavenergi-gasionkilde, der virker efter ioniseringsprincippet med elektronisk påvirkning. Ionstråle-energierne ligger mellem 30eV og 1keV og har meget snæver energispredning. Kilden kan bruges med en lang række gasser, også inerte gasser, såsom O2. Anvendes også til ionspektroskopi, partikel-søgning/kalibrering og substratrengøring. De IBE-ioniserede strålefordamperkilder kan fordampe faststoffer ved temperaturer op til 1800°C og ionisere den derved opstående damp, idet der fremstilles et partial-ioniseret fordamper-flux. Der findes to typer, IBE1 og IBE10, der skaber maks. stråleenergier til hhv. 1keV og 3keV. |
LÆKVENTILER OAR’s piezoelektriske gasdoseringsapparat er fremstillet i højkvalitetsmetal (uden elastomere). Doseringssystemerne er UHV-kompatible og aktiveres ved hjælp af en indvendig, piezoelektrisk krystalstabel. Når der sættes spænding til stablen, udvider den sig og løfter det keramiske stempel, der før spændingen er fastgjort til ventilsædet med en højspændingsfjeder.
|
Den med spændingen lineære udvidelse af piezo-stablen sikrer forholdet mellem lækhastigheden og den gammel-dags, manuelle betjeningsknaps position. Kontrollen er størst i det laveste flowområde, hvor den er mest nødvendig.
|
|
 |
|
 |